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3.3V低电容瞬变二极管阵列 DLLC03CI DLLC05CI DLLC08CI

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常州鼎先电子有限公司
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为高速数据通信提供适当的系统级ESD防护,ESD防护器件(TVS二极管)必须满足不同的要求。可参照IEC61000-4-2标准,根据残留箝位电压和TVS二极管对ESD冲击的响应,判断TVS二极管的ESD防护性能。 我司专为该应用定制了一只反向工作电压为3.3V的TVS二极管(DLLC03CI)。在测试中,IPP为20A(8/20us波形)的浪涌冲击的箝位电压为VC为16V,较低的寄生电容 小于1.5PF,极低的漏电(N安级)。较强的静电能力:IEC 61000-4-2 (ESD) immunity test Air discharge: ±30kV IEC61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns) 。为您解决更严格的测试要求提供适合的的解决方案。

常州鼎先电子有限公司

DLLC03CI3.3V低电容瞬变二极管阵列

DLLC03CIDLLC05CIDLLC08CIDLLC12CIDLLC15CI

GBLCO3C GBLC05C GBLC08C GBLC12C GBLC15C GBLC24C

双向通道

单路,双向器件

电压 -反向关态(典型值)

3.3V

漏电流IR

100nA典型值,VRWM = 3.3V

电压 -击穿(下限)

4V IT = 1mA

电压 箝位@ Ipp

16VIPP = 20A (8 x 20μs pulse)

电流 -峰值脉冲(10/1000μs)

20A(8/20μs)

功率 -峰值脉冲

350W

寄生电容

1.2PF VR = 0V, f = 1MHz

工作温度

-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型

表面贴装

供应商器件封装

SOD-3233000PCS/Reel

应用

通信线路浪涌防护


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