铝基碳化硅封装外壳 IGBT半导体设备零件 LED散热器是一种金属基复合材料，由铝基体和碳化硅颗粒组成。昆山欧菲鸿加工的高导热性（180-200 W/m K），并且可以调整其热膨胀以匹配其他材料，例如硅和砷化镓芯片和各种陶瓷。它主要用于微电子领域，作为功率半导体器件和高密度多芯片模块的基板，有助于去除废热。

铝基碳化硅封装外壳 IGBT半导体设备零件 LED散热器包含 37 vol.% 的 A 356.2 铝合金和 63 vol.% 的碳化硅。其导热系数为 190–200 W/m K。其热膨胀率与砷化镓、硅、磷化铟、氧化铝、氮化铝、氮化硅和直接键合氮化铜铝大致匹配。它还与一些低温共烧陶瓷兼容，例如Ferro A6M 和 A6S、Heraeus CT 2000 和 Kyocera GL560。它在 25 °C 时的密度为 3.01 g/cm3。

AlSiC-10，包含 45 vol.% 的 A 356.2 铝合金和 55 vol.% 的碳化硅。它的热导率为 190–200 W/m K。它的热膨胀大致匹配，例如印刷电路板、FR-4 和 Duroid。它在 25 °C 时的密度为 2.96 g/cm3。

铝基碳化硅封装外壳 IGBT半导体设备零件 LED散热器包含 63 vol.% 的 A 356.2 铝合金和 37 vol.% 的碳化硅。其导热系数为 170–180 W/m K。它与通常与 AlSiC-10 相同的材料兼容。它在 25 °C 时的密度为 2.89 g/cm3。

铝基碳化硅封装外壳 IGBT半导体设备零件 LED散热器是铜钼 (CuMo) 和铜钨 (CuW) 合金的合适替代品；昆山欧菲鸿加工的重量约为铜的 1/3、CuMo 的 1/5 和 CuW 的 1/6，使其适用于对重量敏感的应用；它们也比铜更坚固、更坚硬。它们可用作散热器、电力电子设备的基板（例如 IGBT 和大功率 LED）、散热器、电子设备外壳和芯片盖子，例如微处理器和 ASIC。用于冷却剂的金属和陶瓷刀片和通道可以在制造过程中集成到零件中。

铝基碳化硅封装外壳 IGBT半导体设备零件 LED散热器通常采用近净成形方法制造，即通过 SiC 粘合剂浆料的金属注射成型制造 SiC 预制件，烧制以去除粘合剂，然后在压力下用熔融铝渗透。铝基碳化硅封装外壳 IGBT半导体设备零件 LED散热器可以以足够的公差制造，不需要进一步加工。该材料有致密，没有空隙，并且是密封的。其高刚度和低密度适合用于散热的翅片等壁薄的较大部件。 AlSiC 可以镀镍和镍金，或通过热喷涂其他金属。昆山欧菲鸿加工的陶瓷和金属嵌件可以在铝渗透之前插入预制件中，从而形成气密密封。铝基碳化硅封装外壳 IGBT半导体设备零件 LED散热器由于碳化硅颗粒不同的热膨胀系数，在冷却过程中会引入位错。类似的材料是 Dymalloy，用铜银合金代替铝，用金刚石代替碳化硅。其他材料有碳纤维增强铜、金刚石增强铝、增强碳碳和热解石墨。