西安智盈电气科技有限公司
系统概念
IPM（Intelligent Power Module），即智能功率模块，是先进的混合集成功率器件， 不仅把功率开关器件和驱动电路集成在一起。而且还内部集成有过电压，过电流和过热等故障检测电路，并可将检测信号送到CPU。
测试功能
测试范围
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测试参数
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IPM
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BVCES BVRRM BVSCES ICES IRRM
VCE(SAT), VFBR, VDSET, VDSET-HP,
ID, VEC,
Uvt, Uvr, OUVt, OUVr, VCIN(ON),
VCIN(OFF),
ICIN(ON), ICIN(OFF), IFO(H), IFO(L),
VFO(SAT), Iin leak, VCIN, ICIN,
Otc, TC-Out, td(OV), Udcout, OV, Ovt,
T_MEAS, V_MEAS
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IGBT
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ICES BVCES IGES VF VGEON
VTH,VTHS,ICE(SAT),VCE(SAT)
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DIODE
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VF-Temp,Temp, VF revision
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参数指标
静态参数
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上桥参数
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动态参数
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上桥IGBT/FRD漏电流测试(Ices-H)
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集电极电压/Vce:100～1200V/±3%/10V
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上桥IGBT/FRD耐压测试(Bvce-H)
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集电极电流/Ice： 10～75A/±3%/1A
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上桥驱动IC低端静态电流测试(IDH)
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VD=VBS=15V/±3%/0.1V
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上桥驱动IC高端静态工作电流测试（Iqbs-U V W）
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VIN=0～5V/±3%/0.1V
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上桥欠压保护监测电平（UVbsd-U V W）
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ton-L : 10～500nS/±3%/1nS
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上桥欠压保护复位电平（UVbsr-U V W）
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tc（on）-L :5～200nS/±3%/1nS
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上桥驱动IC导通阈值电压测试（Vth（on）-UH VH WH）
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toff-L: 50～500nS/±3%/1nS
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上桥驱动IC关断阈值电压测试（Vth（off）-UH VH WH）
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tc(off)-L: 5～200nS/±3%/1nS
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上桥IGBT饱和电压测试（Vce(sat)-UH VH WH）
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Trr-L :10～500nS/±3%/1nS
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上桥FRD正向压降测试（VF-(UH VH WH)
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Eon-L :0.1～10mJ/±3%/0.1mJ
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Eoff-L： 0.1～10mJ/±3%/0.1mJ
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下桥IGBT/FRD漏电流测试（Ices-L）
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下桥参数
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集电极电压/Vce:100～1200V/±3%/10V
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下桥驱动IC静态工作电流测试（IDL）
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集电极电流/Ice:10～75A/±3%/1A
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故障输出电压测试（Vfoh Vfol）
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VD=VBS=15V/±3%/0.1V
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过流保护阈值电压测试（Vcin（ref））
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VIN=0～5V/±3%/0.1V
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下桥欠压保护监测电平（UVdd）VD=VBS=15V
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on-L : 10～500nS/±3%/1nS
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下桥欠压保护复位电平（UVdr）
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tc（on）-L :5～200nS/±3%/1nS
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下桥驱动IC导通阈值电压（Vth（on）-UL VL WL）
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toff-L: 50～500nS/±3%/1nS
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下桥驱动IC关断阈值电压（Vth（off）-UL VL WL）
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tc(off)-L: 5～200nS/±3%/1nS
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下桥IGBT饱和电压测试（Vce(sat)-UL VL WL）
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Trr-L :10～500nS/±3%/1nS
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下桥FRD正向压降测试（VF-(UL VL WL)
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Eon-L :0.1～10mJ/±3%/0.1mJ
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Eoff-L： 0.1～10mJ/±3%/0.1mJ
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