碳化硅铝散热基板的发展

         散热基板是功率半导体器件正常工作的一类关键材料，至今经历了三代发展。以科瓦（Kovar）合金为代表的第一代封装合金，解决了热膨胀系数与芯片及陶瓷基片的匹配问题，但导热率过低；以W/Cu、Mo/Cu为代表的第二代封装合金，可以同时实现高导热与低膨胀，但价格高，比重大，难以满足轻量化要求；碳化硅/铝（SiC/Al）复合材料是第三代电子封装基板材料，具有高导热、低膨胀、轻质化的综合优势，但其制造技术被发达国家封锁。目前，国内缺乏高性能的SiCp/Al基板的生产能力，国内高端功率半导体器件所需SiC/Al基板材料全部依靠进口，其中90%来自日本Denka公司，其余主要为美国CPS公司，产品热导率值170－200W/m?k、热膨胀系数值为6.0-8.0×10?6/K。