晶型主要为β-碳化硅，纯度高，长径比大、表面光洁度高、直径率高、晶须中颗粒含量少，具有高强、高模等诸多优良的机械性能。
如其他规格要求，可以接受定制。

中文名称	英文名称	产品编号	产品规格	纯度（%）	CAS
碳化硅晶须	Silicon carbide powder , whisker (β-SiC)	1404006	Φ 500 nm linear：12 μm	99%	409-21-2
		1404024	Φ 7 μm linear：70 μm
	Silicon carbide powder , whisker (SiC)	1404045	Φ 1.5 μm linear：18 μm

技术优势：

l  SiCw晶须含量高（基本为SiCw纯晶须）

l  直径较大(~ 500 nm)、直径分布窄

l  直晶率高(~ )

l  长度均匀(~12μm)

l  纯度高(SiC含量大于99wt%)

l 具有优良的易分散性

指标	分析数据
形态	晶须
直径, nm	~ 500
长度, μm (D50)	~ 12
SiC含量, wt%	> 99wt%
碳含量,wt%	< 0.25wt%
氧化硅,wt%	<0.75wt%

主要用途：
1.作为增强组元加入塑料基体、金属基体或陶瓷基体起到增强和增韧的作用；
2.利用Sic材料的高热导、高绝缘性、在电子工业中作大规模集成电路的基片和封装材料；
3.作为信息光学材料在电视显示、现代通信、网络等领域具有很高的应用价值；

4.在航空航天工业工业部门具有特殊作用，主要是在飞机、*的外壳上的应用以及发动机、高温涡轮转子、特种部件的应用。

应用举例：
1：在C/C复合材料抗氧化涂层中的应用
碳/碳(C/C)复合材料是新型高温结构材料，但是在使用环境气氛中容易破坏，用SiCw增韧C/C复合材料高温氧化防护的涂层中，不仅能使SiCw与基体的层间剪切强度提高，而且可以使其内部裂纹的扩展得到缓冲或阻止。研究表明，有SiCw涂层C/C复合材料在空气中氧化后的质量损失0.7%，没有涂层的质量损失高达15%12。
2： 增韧Si3N4陶瓷及对其热震性的影响
Si3N4陶瓷在高温结构材料领域应用广泛，但其脆性使其应用受到一定限制。所以Si3N4研究的主要方向是提高韧性。SiCw对减少热冲击导致裂纹扩展起着重要作用，研究表明，复合材料中的SiCw和Si3N4颗粒的加入可大幅提高其断裂韧性、抗弯强度和维氏硬度。据分析为细晶强化和弥散强化的综合作用使复合材料增韧。
3： 增韧Al2O3陶瓷
研究表明，在氧化铝基材料中加入20 wt%的SiCw，可以将材料的断裂韧性从不足3.0 MPa·m1/2增加到8.5 MPa·m1/2，将其抗折强度从 400 MPa 提高到约800 MPa16。
4：增强环氧树脂基复合材料导热性能
环氧树脂（ER）广泛用于机械、涂料、电子电气、化工以及航天航空等领域。SiCw作为一种共价化合物，可作为ER的填料，以满足电子元器件的高性能化、微型化、高电绝缘、高导热、低膨胀性等工作环境要求。研究表明，随SiCw含量增加，SiCw/ER复合材料导热系数增大。此外，SiCw可有效降低ER的玻璃化温度。不过，随着添加率的升高，冲击强度和弯曲强度呈先升后降的趋势。
5：高温涂层增韧
加入适量SiCw可有效提供高温涂层的韧性，抑制涂层开裂。本公司开发的SiCw具有出色的抗氧化效果，能适应涂层使用的苛刻环境，已经成功在某研究院进行中试实验。
推荐工艺
1 SiCw分散
分散SiCw时，取去离子水、超纯水的质量比一般选择1:20至1:50，浆料上层无明显的液相层存在为宜。浆料用机械搅拌或砂磨分散方式进行分散，时间为1-7小时为宜，并且应当持续观察，使浆料均匀分散。
2 SiCw添加量
普通陶瓷基复合材料中，一般添加10 wt%以内的SiCw。具体工艺优化过程中，推荐从2 wt%开始，逐步实验、优化。根据实验实践，加入量并不一定越高越好，它与原料、材料尺寸、烧结制度相关，合理的加入量能够获得*的增韧效果。
3 SiCw与基体（陶瓷）粉末混合
向分散好的SiCw浆料中缓慢加入陶瓷粉体，继续分散1-12小时，推荐砂磨分散（塑料小球）或机械搅拌方式，采用球磨方式易导致晶须折断。
若SiCw与基体材料混合性较差时，可加入SiCw质量1%的六偏磷酸钠（或少量异丙醇/乙醇）作为分散剂，可提高混合均匀性。
砂磨或搅拌分散结束后应立即进行干燥脱水，把浆料倒入面积大的器皿中摊薄，增大面积易于蒸发脱水。更重要的是避免晶须与基体原料的分层，推荐干燥温度110-160℃。
4：SiCw增强陶瓷的烧制
将干燥后的混合料粉碎后过筛，得到原料粉体，加压成型后制成坯体。成型的坯体，在保护气氛下或封闭处理（避免晶须过度氧化），按照一定的烧成制度进行烧结。应根据未添加SiCw的烧结工艺适当调整，以获得*性能。致密的SiCw增韧陶瓷在空气中的实际使用温度可达1200℃以上。