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由于少数载流子为数很少，故反向电流是很微弱的，电阻很大一个PN结就可以形成半导体器件中的二极管（Diode），它同时也是构筑三极管（BJT）、金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）等其他众多半导体器件的基础结构4.光电特性光生电：在PN结处没有可以自由移动的电子和空穴，但是晶格原子外层有许多被束缚的共价电子。DK5V100R25S
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四大分类半导体在应用上可以分为四类产品，分别是集成电路、光电子器件、分立器件和传感器，详细分析请持续关注分立器件：单个的二极管、三极管、功率半导体器件（如LDMOS、IGBT等）都属于分立器件。它们相比集成电路的缺点就是体积大，但是在一些场合（如超大功率、半导体照明），分立器件比集成电路更具优势光电子器件（photoelectrondevices）是利用电-光子转换效应制成的各种功能器件。
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二极管还有一些主要参数，比如整流电流：指二极管长期工作时允许通过的正向平均电流。二极管反向工作电压：二极管工作时允许施加的反向电压。反向电流：指室温时和施加反向电压下测得的反向电流，一般情况下，这个电流越小越好。工作频率：指二极管工作的上限频率。二极管在电路中的应用非常广泛，经常用来做限幅、稳压和整流。如果做稳压的话，要注意的一点，就是稳压二极管必须工作在方向击穿状态，并且流过稳压二极管的电流要在在稳定电流和稳定电流之间。