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东科 DK5V45R20M 内置45V /20mΩ 封装SM-10

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DK5V45R10DK5V45R20M




















一、同步整流基本概念■新的电源尺寸的需求,功耗的不断降低,要求供电电压也越来越低。■开关电源的损耗主要由3部分组成:功率开关管的损耗,高频变压器的损耗,输出端整流管的损耗。在大电流输出场合二极管损耗占据主导,可大到50%到60%。■用通态损耗低的功率MOS管-同步整流管代替整流二极管,可提高DC-DC变换器的效率。■为了这种电路能够正常运作,必须对同步整流器(SR)加以控制,这是基本的要求。同步整流器是用来取代二极管的,所以必须选择适当的方法,按照二极管的工作规律来驱动同步整流器。同步整流的优势?下图阐述了同步整流对于二极管整流的优势所在,同步整流是线性的损耗,一定的Rds_on情况下,在很大一个范围内,同步整流都有损耗低的优势。


DK5V100R15SDK5V45R20M
















FlybackFlyback拓扑的同步整流也是和拓扑本身的控制方式相关很大,主要分为CCM模式和DCM模式1.CCM模式下,空载和满载的占空比变化不大,空载或者轻载下模块会有负电流,但可以带来较好的满载效率,适合低压的应用,但FlybackCCM模式并不容易实现,需要对副边同步整流管提前原边开通前关断2.DCM模式需要对副边电流过零点进行采样关断副边MOS,会带来更好的轻载效率,工作模式更像“二极管”,在高压输入的电源中,QR模式非常适合做DCM的同步整流。
DK5V45R20ST1DK5V45R20M


早期电子二极管存在体积大、需预热、功耗大、易破碎等问题,促使了晶体二极管的发明。晶体二极管又称半导体二极管。1947年,美国人发明。在半导体二极管内部有一个PN结和两个引出端。这种电子器件按照外加电压的方向,具备单向电流的传导性。现今普遍的二极管大多是使用半导体材料如硅或锗。晶体二极管结构晶体二极管的核心是PN结,关于PN结首先要了解三个概念。
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