珍珠岩抛光磨料17.2简介：珍珠岩是一种玻璃质酸性喷出岩，SiO2含量高，超过65％，一般为65％一78％。碱质（K2O十Na2O）含量较高，约为7％一8％。珍珠岩中含水量一般为2％一6％，水是在岩浆快速冷凝时，其中的水蒸气来不及逸出而包裹在其中的。珍珠岩呈无色、淡灰、兰绿等颜色，玻璃光泽，一般发育有同心圆状的珍珠裂理。珍珠裂理是珍珠岩冷凝收缩时形成的，是珍珠岩发育的特征。【中信抛光磨料】17.3产品流程：珍珠岩抛光磨料：珍珠岩经过粉碎、筛分等工艺流程，即可成为抛光磨料。17.4产品分类：目前国内珍珠岩抛光磨料一般有70目、90目、120目三种。17.5产品特征：该产品色泽呈灰白色至白色，莫氏硬度5.7，粒径分布0.8μm～80μm，其中产品型号以中心粒径划分，如120目产品，其17＋或－1μm粒径不少于50％。

采用雾化施液化学机械抛光（CMP）的方法,以材料去除速率和表面粗糙度为评价指标,选取适合硒化锌抛光的磨料,通过单因素实验对比CeO2、SiO2和Al2O3三种磨料的抛光效果。结果显示:采用Al2O3抛光液可以获得的材料去除率,为615.19nm/min,而CeO2和SiO2磨料的材料去除率分别只有184.92和78.56nm/min。进一步分析磨料粒径对实验结果的影响规律,表明100nm Al2O3抛光后的表面质量,粗糙度Ra仅为2.51nm,300nm Al2O3的去除速率,达到1 256.5nm/min,但表面存在严重缺陷,出现明显划痕和蚀坑。在相同工况条件下,与传统化学机械抛光相比,精细雾化抛光的去除速率和表面粗糙度与传统抛光相近,但所用抛光液量约为传统抛光的1/8,大大提高了抛光液的利用率。

一种湿法制备技术利用珍珠岩尾矿制备珍珠岩抛光磨料。与传统干法工艺相比 ,珍珠岩抛光磨料产品产率从 3 0 %提高到 70 %以上 ,颗粒粒度小于 15 0 μm ,而 0 -4 4μm粒级含量不到 10 %。粒度分布更加合理 ,完全满足玻壳行业及相关行业的要求。湿法制备珍珠岩抛光磨料是珍珠岩加工业充分合理利用珍珠岩尾矿的十分有效的利用途径。 提高硬质合金刀片前刀面化学机械抛光(CMP)的材料去除率和表面质量,采用6种不同硬度磨料(金刚石、碳化硼、碳化硅、氧化铝、氧化锆、氧化硅)对硬质合金刀片CMP加工,采用表面粗糙度测量仪和超景深三维显微系统观察抛光前后刀片的表面形貌,探讨硬质合金刀具CMP材料去除机制。实验结果表明:碳化硼磨料因粒径分散性大,造成硬质合金刀片表面划痕较多;低硬度的氧化硅、氧化锆、碳化硅磨料只能去除硬质合金刀片表面局部划痕区域;接近硬质合金刀片硬度的氧化铝磨料,可获得较好的表面质量;硬度的金刚石磨料在CMP加工时,在硬质合金刀片表面上产生机械应力,促进化学反应,获得比其他磨料更高的材料去除率和更好的表面质量。因此,在硬质合金刀片粗加工时可以选用氧化铝磨料,精加工时选用金刚石磨料。

对InP晶片进行了集群磁流变抛光实验,研究了抛光过程中磨料参数（类型、质量分数和粒径）对InP材料去除速率和表面粗糙度的影响。实验结果表明,InP晶片的去除速率随磨料硬度的增加而变大,表面粗糙度受磨料硬度和密度的综合影响;在选取的金刚石、SiC、Al2O3和SiO2等4种磨料中,使用金刚石磨料的InP去除速率,使用SiC磨料的InP抛光后的表面质量。随着SiC质量分数的增加,InP去除速率逐渐增加,但表面粗糙度先减小后增大。当使用质量分数4%、粒径3μm的SiC磨料对InP晶片进行抛光时,InP去除速率达到2.38μm/h,表面粗糙度从原始的33 nm降低到0.84 nm。