全椒亚格泰电子新材料科技有限公司
TSA主要用在先进逻辑技术节点及3D NAND位元线主要氧化物填充，它使用流动式化学气相沉积（FCVD）机台来将硅电介质沉积到浅沟槽隔离技术（STI）中。由于3D NAND在存储层中的堆叠层增长，从而增加存储孔的高度
Trisilylamine-三甲硅烷基胺（TSA）CAS 13862-16-3
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- 所在地址： 安徽滁州市全椒县十字镇杨岗大道88号
产品详情
- 基本参数
- 纯度 99.9%
- 规格 10KG/瓶
- CAS 13862-16-3
- 产地 中国安徽
- 标准 SEMI
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