苏州凯发新材料科技有限公司
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器件结构： 金电极/ReSe2/300nmSiO2/Si 背栅FET ReSe2， 少层（~3层，~5层），多层~10层
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ReSe2 FET 背栅FET
¥ 3000
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- 江苏 苏州 所在地
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- 所在地址： 苏州工业园区东旺路8号8幢2楼206室
产品详情
- 基本参数
- 纯度 99%
- 规格 g
- 产地 江苏
- 用途 科研
- 支持定制 是
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