¥ 8250
结构1, 金电极/ 2层PtSe2 阵列/300nm SiO2/si,
5um背栅FET,N型沟道
结构2, 金电极/2层PtSe2 阵列/90nm SiO2/si,
5um背栅FET, 双极性沟道