苏州北科纳米科技有限公司
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背栅器件结构：金电极/CVD 单层MoSe2（或者机械剥离单层MoSe2）/300nm SiO2/Si 1） 器件种类1， CVD三角MoSe2单层单晶， 5um沟道，300nm氧化硅硅片基底，背栅结构
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二硒化钼晶体管
¥ 2250
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- 江苏 苏州 所在地
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- 所在地址： 苏州工业园区东旺路8号8幢2楼201室
产品详情
- 基本参数
- 纯度 99%
- 规格 盒
- 品牌 北科纳米
- 产地 江苏
- 加工定制 是
- 用途 科研
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