器件结构： 导电硅片/300nm 氧化硅层/三角MoS2 或者手撕单层MoS2/Au+Cr+Au电极

样品实例

1) 机械剥离单层MoS2 背栅FET（单层，5um宽沟道，300nm氧化硅片基底）

2） 机械剥离少层MoS2背栅FET（~3层，5um宽沟道，300nm氧化硅片基底）

3） 机械剥离多层MoS2背栅FET(~5层， 5um宽沟道，300nm氧化硅片基底）

4) CVD三角MoS2 单晶 ，背栅FET（单层，5um宽沟道，300nm氧化硅片）