苏州北科纳米科技有限公司
| 货号 | CAS号 | 编号 | 包装 | 参数 | 库存 | 补货期 | 价格 |
| BK2020081704-01 | BK2020081704 | Ga-抛光 | 位错密度：1~3 x 106 cm-2 | 100 | 1800 | ||
| BK2020081704-02 | BK2020081704 | Ga-抛光 | 位错密度：5~9 x 105 cm-2 | 100 | 2400 | ||
| BK2020081704-03 | BK2020081704 | Ga-抛光 | 位错密度：1~5 x 105 cm-2 | 100 | 4200 | ||
| BK2020081704-04 | BK2020081704 | N-抛光 | 位错密度：1~3 x 106 cm-2 | 100 | 1800 | ||
| BK2020081704-05 | BK2020081704 | N-抛光 | 位错密度：5~9 x 105 cm-2 | 100 | 2400 | ||
| BK2020081704-06 | BK2020081704 | N-抛光 | 位错密度：1~5 x 105 cm-2 | 100 | 4200 | ||
| BK2020081704-07 | BK2020081704 | Double-抛光 | 位错密度：1~3 x 106 cm-2 | 100 | 2040 | ||
| BK2020081704-08 | BK2020081704 | Double-抛光 | 位错密度：5~9 x 105 cm-2 | 100 | 2640 | ||
| BK2020081704-09 | BK2020081704 | Double-抛光 | 位错密度：1~5 x 105 cm-2 | 100 | 4440 |
性能参数：
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产品型号 GaN-FS-C-U-S10 尺寸 10×10.5mm2 厚度 350±25μm 晶体取向 C-plane（0001）off angle toward M-Axis 0.35°±0.15° TTV ≤10μm 弯曲度 ≤10μm 导电类型 N-type 电阻率（300 K） 0.1Ω·cm 位错密度 From 1x105to 3x106cm-2 有效面积 90% 抛光 Front Surface：Ra＜0.2 nm(polished);
or 0.3nm(polished and surface treatment for epitaxy)Back Surface：0.5~1.5μm;
option：1-3nm(Fine ground);0.2nm(polished)包装 Packaged in a class 100 clean room environment,
in single container,under a nitrogen atmosphere.
