苏州北科纳米科技有限公司
| 货号 | CAS号 | 编号 | 包装 | 参数 | 库存 | 补货期 | 价格 |
| BK2020081712-01 | BK2020081712 | 单抛 | 4.5±0.5μm | 100 | 720 | ||
| BK2020081712-02 | BK2020081712 | 单抛 | 20±2μm | 100 | 1620 | ||
| BK2020081712-03 | BK2020081712 | 双抛 | 4.5±0.5μm | 100 | 780 | ||
| BK2020081712-04 | BK2020081712 | 双抛 | 20±2μm | 100 | 1680 |
性能参数：
| 产品型号 | GaN-T-C-U-C50 |
| 尺寸 | 50.8 ± 1 mm |
| 厚度 | 350 ± 25 μm |
| 晶体取向 | C-plane(0001) ± 0.5° |
| 导电类型 | N-type(Undoped) |
| 电阻率（300 K） | 0.5 Ω·cm for N-type (Undoped; GaN-FS-C-U-C50) |
| 载流子浓度 | 5x1017cm-3 |
| 迁移率 | ~ 300cm2/V?s |
| 位错密度 | Less than 5x108cm-2(estimated by FWHMs of XRD) |
| 衬底结构 | GaN on sapphire (standard :SSP option:DSP) |
| 有效面积 | 90% |
| 包装 | Packaged in a class 100 clean room environment, in cassette of 25pcs or single container , under a nitrogen atmosphere. |
扫描图：
