苏州北科纳米科技有限公司
以上价格为参考价,详细报价请咨询技术
基底: 300nm氧化层硅片,5um等距金电极
结构:先剥离单层MoS2到指定位置,然后转移少层TiS3三硫化钛到MoS2位置上,形成MoS2-TiS3/MoS2-TiS3 三个区域。可分别对单独的两种材料和异质结进行FET性质测试。
¥ 3750
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基底: 300nm氧化层硅片,5um等距金电极
结构:先剥离单层MoS2到指定位置,然后转移少层TiS3三硫化钛到MoS2位置上,形成MoS2-TiS3/MoS2-TiS3 三个区域。可分别对单独的两种材料和异质结进行FET性质测试。