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三甲基硅烷Trimethylsilane主要用于制造半导体器件的薄膜电介质时化学气相淀积的硅源气体， 可在薄膜电介质上淀积碳化硅、 氧化硅或氮化硅， 是等离子体增强化学气相沉积（ PECVD） 工业的重要原料， 常用PECVD的保护涂层以及镶嵌金属化应用中的低k介电层和阻挡层的PECVD工艺。
| Substance name
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Content
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| Trimethylsilane
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99,999
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%
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| Hydrocarbons total, not more
|
1
|
ppm
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| Nitrogen, not more
|
1
|
ppm
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| Chlorides total, not more
|
1
|
ppm
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| Carbon dioxide, not more
|
1
|
ppm
|
| Oxygen Argon, not more
|
2
|
ppm
|
| Carbon monoxide, not more
|
2
|
ppm
|
| Water, not more
|
1
|
ppm
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Physical properties (reference data):
| Molecular weight
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74,20
|
g/mole
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| Density at 20
|
0,638
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kg/m3
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| Melting point
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-135,9
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| Boiling point
|
6,7
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| Freezing point
|
- 135,9
|
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| Major Hazards
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Flammable
|
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