TESCAN GAIA3 将场发射 SEM 与 FIB 集成在一起。SEM 单元配备用于二次和背散射电子成像的检测器。离子柱使用 Ga 液态离子金属源 (LMIS) 和一组静电透镜，用聚焦的离子束轰击目标材料以去除或沉积材料。该仪器还配备了用于沉积 Pt、XeF2、碳、水的气体喷射系统 (GIS) 以及用于 TEM 薄箔提取的 Omniprobe。GAIA3 具有低真空模式，但 FIB 成像和铣削仅允许在高真空模式下使用。

GAIA3 配备了用于 EDX 分析的 Oxford X-Max 80 mm2检测器和用于 EBSD 分析的 NordlysNano 相机。结合顺序切割和记录程序，可以同时对样品进行 3D EDX 和 EBSD 映射。

?仪器特点

FIB

Ga离子源

工作电压：0.5kV至30kV

工作电流：1pA 至 60 nA

扫描电镜

场发射枪

工作电压：500V 至 30 kV

热门应用

SEM/EDS 分析

SEM/EBSD 分析

FIB光刻

TEM 样品制备

仪器规格

BDM 中的电子束分辨率：0.7nm @ 15kV, 1.4nm @ 1kV, 2.2nm @ 200V

聚焦离子束分辨率：使用 1pA 的镓进行亚 2 nm 图像，保证 2.5 nm 分辨率