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基本性质:

无掺杂二硫化钼是层状N型半导体，属于过渡金属二硫族化合物，块状能带间隙为1.23eV （间接带隙），单层MoS2带隙~1.85eV（直接带隙）。

制造方法：

化学气相沉积法， Chemical Vapor Deposition （CVD）

产品简介：

MoS2薄膜分为多种： 1） 单层离散分布的三角状单晶晶粒，三角边长一般是几十至一百微米。 2） 由三角晶粒继续长大连在一起的单层连续薄膜。 3） 多层MoS2 连续薄膜。 4） 基底：MoS2可选基底较多，其中最常用的硅片基底、带氧化层硅片基底和蓝宝石基底为直接沉积产品。其他基底例如PET，PI，ITO，FTO，玻璃，金属基底等是通过在蓝宝石上生长后转移至客户所需基底。

应用领域：

光电器件，微电子器件，生物传感，化学传感等领域。

包装及规格

10*10mm,15*15mm,20*20mm,2英寸圆片，4英寸圆片 或客户指定的定制尺寸。 净化抽真空包装， 1片/盒，5片/盒。10片/盒。