货号	CAS号	编号	包装	参数	库存	补货期	价格
BKMK283-01	7440-44-0	BKMK283	1片/包装	1*1cm2	100		1200
BKMK284-01	7440-44-0	BKMK283	1片/包装	1.5*1.5cm2	100		1800
BKMK285-01	7440-44-0	BKMK283	1片/包装	2*2cm2	100		2400
BKMK286-01	7440-44-0	BKMK283	1片/包装	3*3cm2	100		3000
BKMK287-01	7440-44-0	BKMK283	1片/包装	4*4cm2	100		3600
BKMK288-01	7440-44-0	BKMK283	1片/包装	5*5cm2	100		4800

背景介绍：

目前制备高质量石墨烯的方法，有胶带剥离法、碳化硅或金属表面外延生长法和化学气相沉积法CVDCVD法制备的石墨烯，一般是由纳米级到微米级尺寸的石墨烯晶畴拼接而成的多晶材料。

石墨烯优异的电、光、强度等众多优异性质使其在电子学、自旋电子学、光电子学、太阳能电池、传感器等领域有着重要的潜在应用，但大规模高质量制备技术是制约其进入实际应用的瓶颈之一。

牧科纳米技术团队经过长时间的技术攻关，不用昂贵的金属基体，在常见的铜衬底，以低浓度甲烷和高浓度氢气通过常压100Si/SiO2基体上制成场效应晶体管，测量显示该单晶石墨烯室温下的载流子迁移率可达。

常见的铜基体上生长大尺寸单晶石墨烯及其薄膜技术的突破，为石墨烯基本物性的研究及其在高性能纳电子器件、透明导电薄膜等领域的实际应用奠定了材料基础。

石墨烯单晶表征数据：

μm级别石墨烯单晶在铜衬底上的光学显微镜照片：

拉曼光谱：

2000span "="" style="margin-top: 0px; margin-bottom: 0px; font-size: 24px; line-height: 28px;"μm级别铜基产品规格：