货号	CAS号	编号	包装	参数	库存	补货期	价格
BKTMDC123024-01		BKTMDC123024		单层三角单晶晶粒	100		1550
BKTMDC123024-02		BKTMDC123024		单层连续薄膜	100		1550
BKTMDC123024-03		BKTMDC123024		多层连续薄膜	100		1550

目前最大尺寸4英寸圆片，更大尺寸（8，12英寸）即将面市。

无掺杂二硫化钼是层状N型半导体，属于过渡金属二硫族化合物，块状能带间隙为1.23eV （间接带隙），单层MoS2带隙~1.85eV（直接带隙）。

化学气相沉积法， Chemical Vapor Deposition （CVD）

MoS2薄膜分为多种：
1） 单层离散分布的三角状单晶晶粒，三角边长一般是几十至一百微米。
2） 由三角晶粒继续长大连在一起的单层连续薄膜。
3） 多层MoS2 连续薄膜。
4） 基底：MoS2可选基底较多，其中最常用的硅片基底、带氧化层硅片基底和蓝宝石基底为直接沉积产品。其他基底例如PET，PI，ITO，FTO，玻璃，金属基底等是通过在蓝宝石上生长后转移至客户所需基底。

应用领域：

包装及规格

典型客户包括：

单层MoS2孤立晶粒 单层MoS2连续薄膜

AFM data of MoS2

石英基底二硫化钼薄膜