乙硅烷有别于硅烷的特殊化学特性(易分解)，在PECVD、LPCVD制造工艺中其成膜温度比硅烷低很多、成膜速率快、膜质量平滑均匀，乙硅烷分子中含硅量比硅烷高许多，因此，未来乙硅烷将会有广阔的使用空间，目前许多芯片厂开始尝试使用含一定浓度的SiH 4 -Si 2 H 6混合气体。