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Si2H6硅乙烷用于太阳能电池、感光转筒、非晶硅膜、外延成长、氧化膜、氮化膜、化学气相沉积等方面。在太阳能电池生产中,用乙硅烷比用硅烷在非晶硅片上的沉积速度快得多,且温度可降低200~300℃。 在离子注入中,以乙硅烷作离子源后易起辉、束流强,效果明显好于用其他气体作离子源。
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Si2H6硅乙烷用于太阳能电池、感光转筒、非晶硅膜、外延成长、氧化膜、氮化膜、化学气相沉积等方面。在太阳能电池生产中,用乙硅烷比用硅烷在非晶硅片上的沉积速度快得多,且温度可降低200~300℃。 在离子注入中,以乙硅烷作离子源后易起辉、束流强,效果明显好于用其他气体作离子源。