货号	CAS号	编号	包装	参数	库存	补货期	价格
BKTMDC123031-01		BKTMDC123031		单层三角单晶晶粒	100		1450
BKTMDC123031-02		BKTMDC123031		单层连续薄膜	100		1450
BKTMDC123031-03		BKTMDC123031		多层连续薄膜	100		1450

本公司目前可批量化制造高质量单层MoS2薄膜。

目前最大尺寸4英寸圆片，更大尺寸（8，12英寸）即将面市。

基本性质:

无掺杂二硫化钼是层状N型半导体，属于过渡金属二硫族化合物，块状能带间隙为1.23eV （间接带隙），单层MoS2带隙~1.85eV（直接带隙）。

制造方法：

化学气相沉积法， Chemical Vapor Deposition （CVD）

产品简介：

MoS2薄膜分为多种：
1） 单层离散分布的三角状单晶晶粒，三角边长一般是几十至一百微米。
2） 由三角晶粒继续长大连在一起的单层连续薄膜。
3） 多层MoS2 连续薄膜。
4） 基底：MoS2可选基底较多，其中最常用的硅片基底、带氧化层硅片基底和蓝宝石基底为直接沉积产品。其他基底例如PET，PI，ITO，FTO，玻璃，金属基底等是通过在蓝宝石上生长后转移至客户所需基底。

其氧化层厚度为300nm或其他厚度。

应用领域：

光电器件，微电子器件，生物传感，化学传感等领域。

包装及规格

10*10mm,15*15mm,20*20mm,2英寸圆片，4英寸圆片 或客户指定的定制尺寸。
净化抽真空包装， 1片/盒，5片/盒。10片/盒。

典型客户包括：

MIT、加州理工、斯坦福大学；
牛津大学、曼彻斯特大学；
首尔大学、韩国科学技术院（KAIST）、成均馆大学；
东京工业大学、村田制作所
清华大学、北京大学、中科院半导体所
等世界一流研究机构。

单层MoS2孤立晶粒　　 　 　 　　　　　　 　 　 　 　单层MoS2连续薄膜

AFM data of MoS2

Raman shift of MoS2

二氧化硅/硅基底二硫化钼薄膜

石英基底二硫化钼薄膜

蓝宝石基底二硫化钼薄膜

单层MoS2 多层MoS2