苏州凯发新材料科技有限公司
刻是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤,利用曝光和显影在光刻胶层上刻画器件结构,再通过刻蚀工艺将掩膜上的图形转换到衬底上。北科纳米目前掌握电子束光刻,步进式光刻,接触式光刻等多种光刻技术.
技术应用
光刻技术主要应用于半导体器件,集成电路制造过程中。
工艺能力
电子束光刻:最小线宽50nm,精度可达10%。步进式光刻:stepper i7/i10/i12,最小线宽350nm,曝光误差±0.1um,最大曝光面积6英寸。接触、接近式光刻:MA6/BA6光刻机,最小线宽1um,曝光误差±0.5um
我们的优势
根据客户需求,定制最具性价比光刻方案精度高,线宽小衬底尺寸范围1cm至6英寸图形保真度高