苏州凯发新材料科技有限公司
| 货号 | CAS号 | 编号 | 包装 | 参数 | 库存 | 补货期 | 价格 |
| BK2020081711-01 | BK2020081711 | 4.5±0.5μm | 100 | 3960 | |||
| BK2020081711-02 | BK2020081711 | 20±2μm | 100 | 5160 |
性能参数：
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产品型号 GaN-T-C-N-C100 尺寸 Ф 100 ± 0.1 mm 厚度 4.5±0.5 μm, 20±2 μm 晶体取向 C-plane(0001) ± 0.5° 导电类型 N-type(Si-doped) 电阻率（300 K） 0.05Ω·cm 载流子浓度 1x1018cm-3 迁移率 ~ 200cm2/V?s 位错密度 Less than 5x108cm-2(estimated by FWHMs of XRD) 衬底结构 GaN on sapphire (standard :SSP option:DSP) 有效面积 90% 包装 Packaged in a class 100 clean room environment, in cassette of 25pcs
or single container , under a nitrogen atmosphere. 扫描图：
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