CdS纳米线/InAS纳米线/ZnTe纳米线/CdS-CdSe纳米线/CdTe纳米线定制

半导体纳米线以其的结构特征和新颖的物理特性成为当前半导体光电子领域的研究热点。InAs纳米线具有较窄的直接带隙和的电子迁移率,在光电子器件中有重要应用潜力。本论文的研究工作主要围绕InAs纳米线展开,研究了纯相InAs纳米线的可控生长以及基于InAs纳米线的新型光电器件的制备与应用。主要工作如下:(1)利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)进行了 InP衬底上金催化InAs纳米线的生长研究。结果表明生长温度和Ⅴ/Ⅲ比对InAs纳米线的晶体结构有显著影响。在生长温度为450 oC、Ⅴ/Ⅲ比为70的优化条件下,InAs纳米线在的直径范围内(70~420 nm)

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温馨提醒：仅用于科研（zhn2021.03.04）

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