西安齐岳生物提供晶体基片。HfTe2 碲化铪晶体、HfSe2 硒化铪晶体、HfS2 硫化铪晶体、GeSe 硒化锗晶体、GaTe晶体、GaSe 硒化镓晶体、Fe3GeTe2晶体、CuS 晶体、CdI2晶体10平方毫米、BiTe晶体10平方毫米、BiSe 晶体、硫化铋 Bi2S3 晶体、Bi2O2Te 晶体、AgCrSe2晶体、hBN 六方氮化硼晶体

材料名称:InSiTe3

性质分类:半导体，热电材料

禁带宽度:0.8 eV

合成方法:CVT

剥离难易程度:易

保存注意事项:晶体稳定性一般，需要避开水氧保存

[单晶纯度]: 99.99%

[规格]：注：可按客户需求定制相应的方向和尺寸。

[包装]：真空包装

[传导类型]：N型；半缘型

[抛向]：单抛或双抛

[可用表面积]： 90%

[供应商]：西安齐岳生物科技有限公司

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