西安齐岳生物科技有限公司
砷化镓（gallium arsenide），化学式GaAs，属Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体，由砷和镓两种元素化合而成，外观呈亮灰色，具金属光泽、性脆而硬，
在光电子工业领域应用层面，砷化镓单晶可被用于制作LD（激光器）、LED（发光二极管）、光电集成电路（OEIC）、光伏器件等；
在微电子工业领域应用层面，可被用于制作MESFET（金属半导体场效应管）、HEMT（高电子迁移率晶体管）、HBT（异质结双极晶体管）、IC、微波二极管、Hall器件等。
晶体材料 |
Single Crystal Gallium Arsenide, VGF / LECgrown,高纯单晶 |
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晶向 |
(1 0 0) / (1 1 1) |
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掺杂 |
Undoped |
Zn |
Si / Te |
直径 |
50~150mm ± 0.25mm（2"、3"、4"、6"） |
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厚度 |
350 ± 25um / 550 ± 25um / 625 ± 25um |
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晶向 |
（100）or（111）α0±β0, off angle α and accuracy β upon request |
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电阻率 |
(1-30)x107Ω.cm |
(1-10)x10-3Ω.cm |
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迁移率 |
1500~3000 3000~5000 cm2/ V·sec |
N / A |
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掺杂浓度 |
N / A |
(0.1-3.0)×1018/cm3 |
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腐蚀缺陷密度 |
≤ 5·103cm-2 |
≤ 7·104cm-2 |
≤ 5·102cm-2 |
主定位边 |
(0-1-1)±0.5deg, 16 ±1.0mm /22±1.0mm/32.5±1.0mm |
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次定位边 |
(0-1 1) )±5.0 deg, 8 ±1.0mm / 11±1.0mm/ 18±1.0mm |
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正面 |
Polished in Epi-ready Prime grade,外延生长级抛光 |
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反面 |
Polished / Lapping or Etched,抛光/研磨或腐蚀 |
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yyp2021.1.21
