西安齐岳生物科技有限公司
描述：锑化镓为半导体材料。分子式为GaSb,闪锌矿型结构,晶格常数0.6094nm,密度5.6137g/cm3,为直接带隙半导体,室温时禁带宽度为0.70eV。
单晶 |
GaSb |
||||
掺杂 |
None |
None high R |
Zn |
Te |
Te high R |
导电类型 |
P |
P- |
P |
N |
N |
载流子浓度cm-3 |
1~2×1017 |
1~5×1016 |
1~5×1018 |
2~6×1017 |
1~5×1016 |
位错密度cm-2 |
＜103 |
||||
生长方法 |
LEC |
||||
尺寸 |
Φ3″ |
||||
标准基片 |
Φ3″×0.5， Φ2″×0.5 |
||||
表面处理 |
研磨，单抛，双抛 |
||||
相关产品目录：
| Ni2SiTe4晶体 | （单层和多层 ）厚度可定制 |
| NbTe2 晶体 | 50平方毫米 |
| MoWSe4 钼钨硒晶体 | 50平方毫米 |
| MoWS2 钼钨硫晶体 | 10平方毫米 |
| MoTe2 二碲化钼晶体 | 25平方毫米 |
| MoSSe 钼硫硒晶体 | 50平方毫米 |
| 掺钨(W)MoSe2晶体 二硒化钼晶体 | 10平方毫米 |
| 掺铁(Fe)MoSe2晶体 二硒化钼晶体 | 25平方毫米 |
| 掺钽(Ta)MoSe2晶体 二硒化钼晶体 | 25平方毫米 |
| 掺镍(Ni)MoSe2晶体 二硒化钼晶体 | （单层和多层 ）厚度可定制 |
| 掺铌(Nb)MoSe2晶体 二硒化钼晶体 | 50平方毫米 |
| 掺铼(Re)MoSe2晶体 | 50平方毫米 |
温馨提示：西安齐岳生物科技有限公司供应的产品仅用于科研，
yyp2021.1.21
