Si 用途：用作半导体材料，大功率晶体管，整流器，太阳能电池等。

晶体结构 面心立方

熔点（℃） 1420

密度 2.4（g/cm3）

禁带宽度(eV) 1.12

寿命 130μs

掺杂物质	不掺杂	掺 B	掺 P
类 型	I	P	N
电 阻 率	1000 Ω.cm	10-3~102 Ω.cm	10-3~102Ω.cm
E P D	≤100∕cm2	≤100∕cm2	≤100∕cm2
氧含量（∕cm3）	≤1~1.8×1018	≤1~1.8×1018	≤1~1.8×1018
碳含量（∕cm3）	≤5×1016	≤5×1016	≤5×1016

尺寸 ?6”、?4"、?3"、?2"、10×10mm、 可按照客户需求，定制方向和尺寸的基片

厚度 0.4～0.5mm、1.0mm

尺寸公差 ±0.1mm

厚度公差 ±0.005mm要求可达到±0.005mm）

抛光 单面或双面

晶面定向精度 ±0.5°

边缘定向精度 2°（要求可达到 1°以内）

取向

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