西安齐岳生物科技有限公司
主要性能参数
晶系 六方晶系
晶胞常数 a=4.748? c=12.97?
密度 3.98(g/cm3)
熔点 2040℃
生长方法 提拉法,泡生法
莫氏硬度 9
折射率 300K 时, ∥C,1.762 @630nm ⊥C,1.770 @630nm
热膨胀系数 5.8x10-6/K
热导率(卡/度 厘米 秒)
损耗角正切 293K 时 1×10-4(1MHz)
介电常数 *103—109Hz @25℃ ∥C,11.5 ⊥C,9.3
透过率 ? 80%@ 400~4000nm
晶向
晶向公差 ±0.5°
常规尺寸及公差 10×3,10×5,10×10,15×15,20×15,20×20,
常规厚度及公差 0.5mm,1.0mm
抛光 单面或双面
表面粗糙度 Ra5?(5×5μm)
GeSe 硒化锗晶体 | 25平方毫米 |
GaTe晶体 | 10平方毫米 |
GaSe 硒化镓晶体 | 25平方毫米 |
Fe3GeTe2晶体 | 50平方毫米 |
CuS 晶体 | 25平方毫米 |
CdI2晶体10平方毫米 | 25平方毫米 |
BiTe晶体10平方毫米 | 10平方毫米 |
BiSe 晶体 | 25平方毫米 |
硫化铋 Bi2S3 晶体 | 25平方毫米 |
Bi2O2Te 晶体 | 50平方毫米 |
AgCrSe2晶体 | 10平方毫米 |
hBN 六方氮化硼晶体 | (单层和多层 )厚度可定制 |
我们的宗旨是:为客户提供好的产品和服务。
温馨提示:仅用于科研
yyp2021.1.21