西安齐岳生物科技有限公司
描述：碳化硅（SiC）单晶具有许多优良的性质，热导率高、饱和电子迁移率高、抗电压击穿能力强等
生长方法 |
籽晶升华法 ,PVT |
晶体结构 |
六方 |
晶格常数 |
a=3.08 ? c=15.08 ? |
密度 |
3.21 g/cm3 |
方向 |
生长轴或 偏 |
带隙 |
3.26eV (间接) |
硬度 |
9.2（mohs） |
热传导@300K |
5 W/ cm.k |
介电常数 |
e(11)=e(22)=9.66 e(33)=10.33 |
尺寸 |
10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20， Dia2",Di3",Dia4" |
厚度 |
0.35mm， |
抛光 |
单面或双面 |
晶向 |
|
晶面定向精度: |
±0.5° |
边缘定向精度: |
2°（可达1°以内） |
斜切晶片 |
可按特定需求，加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜（倾斜角1°－45°）的晶片 |
Ra: |
≤5?（5μm×5μm） |
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yyp2021.1.20
