西安齐岳生物科技有限公司
简述:氧化镁(MgO)单晶基片应用在多个薄膜领域中。如用于制作磁学薄膜、半导体薄膜、光学薄膜和高温超导薄膜等。由于MgO单晶在微波波段的介电常数和损耗都很小,且能得到大面积的基片(直径2"及更大),所以是当前产业化的重要高温超导薄膜单晶基片之一。
生长方法 |
弧熔法 |
晶体结构 |
立方 |
晶格常数 |
a=4.130 ? |
熔点(℃) |
2800 |
纯度 |
99.95% |
密度(g/cm3) |
3.58 |
硬度 |
5.5(mohs) |
热膨胀系数(/℃) |
11.2x10-6 |
晶体解理面 |
|
光学透过 |
90%(200~400nm),98%(500~1000nm) |
介电常数 |
ε= 9.65 |
热导率(卡/度厘米秒) |
0.14 300°K |
尺寸 |
10x3,10x5,10x10,15x15,,20x15,20x20, dia2” x 0.33mm dia2” x 0.43mm 15 x 15 mm |
厚度 |
0.5mm,1.0mm |
抛光 |
单面或双面 |
晶向 |
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晶面定向精度: |
±0.5° |
边缘定向精度: |
2°(要求可达1°以内) |
斜切晶片 |
可按特定需求,加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜(倾斜角1°-45°)的晶片 |
Ra: |
≤5?(5μm×5μm) |
主要特点 |
由于MgO单晶在微波波段的介电常数和损耗都很小,且能得到大面积的基片(直径2英吋及更大),所以是当前产业化的重要高温超导薄膜单晶基片之一。 |
主要用途 |
用于制作磁学薄膜、半导体薄膜、光学薄膜和高温超导薄膜等,也可用于制作移动通讯设备所需的高温超导微波滤波器等器件。 |
GeS 硫化锗晶体 | (Germanium Sulphide) |
p-type WS2 crystals P型二硫化钨晶体 | p-type WS2 crystals |
GaS 硫化镓晶体 | (Gallium Sulfide) |
HfS2 二硫化铪晶体 | (Hafnium Disulfide) |
WS2 二硫化钨晶体 | (Tungsten Disulfide) |
ReS2 二硫化铼晶体 | (Rhenium Disulfide) |
TiS2 二硫化钛晶体 | (Titanium Disulfide) |
Molybdenum Disulfide (MoS2) 小尺寸二硫化钼晶体 10x10mm | Molybdenum Disulfide (MoS2) |
n-type WS2 crystals N型二硫化钨晶体 | n-type WS2 crystals |
NiPS3 crystals 三硫化磷镍晶体 | NiPS3 crystals |
In2S3 crystals 三硫化二铟晶体 | In2S3 crystals |
ZrSiS crystals 硫化硅锆晶体 | ZrSiS crystals |
TiS3 三硫化钛晶体 | TiS3 crystals |
NbS2 二硫化铌晶体 (Niobium Disulfide) | (Niobium Disulfide) |
温馨提示:西安齐岳生物供应产品仅用于科研,不能用于人体
yyp2021.1.20