西安齐岳生物科技有限公司
锗（Ge）晶体材料
用途：制作半导体器件，红外光学器件，及太阳能电池沉底等材料。
生长方法 |
提拉法 |
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晶体结构 |
立方 |
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晶格常数 |
a=5.65754 ? |
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密 度 |
5.323g/cm3 |
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熔点 |
937.4℃ |
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掺杂物质 |
不掺杂 |
掺Sb |
掺Ga |
类型 |
/ |
N |
P |
电阻率 |
＞35Ωcm |
0.01~10Ωcm |
0.01~10Ωcm |
EPD |
＜4×103∕cm2 |
＜4×103∕cm2 |
＜4×103∕cm2 |
尺寸 |
10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20， |
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Dia4",Dia3";Dia2”;或按照客户要求划片 |
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厚度 |
0.5mm，1.0mm |
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抛光 |
单面或双面 |
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晶向 |
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晶面定向精度: |
±0.5° |
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边缘定向精度: |
2°（可达1°以内） |
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斜切晶片 |
可按特定需求，加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜（倾斜角1°－45°）的晶片 |
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Ra: |
≤5?（5μm×5μm） |
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相关产品目录：
名称 尺寸 应用
| Pb2Bi2Se5晶体 | 50平方毫米 | 半导体 |
| Pb2Bi2Te5晶体 | 25平方毫米 | 拓扑材料 |
| PbBi4Te7晶体 | 50平方毫米 | 红外材料 |
| PbBi6Te10晶体 | 10平方毫米 | 半导体 |
| PbSb2Te4晶体 | 25平方毫米 | 拓扑材料 |
| PbSe晶体 | 25平方毫米 | 红外材料 |
| PbS晶体 | 10平方毫米 | 半导体 |
| Sb2Te2Se晶体 | （单层和多层 ）厚度可定制 | 拓扑材料 |
| Sb2TeSe2晶体 | 25平方毫米 | 红外材料 |
| Sb2Te晶体 | 10平方毫米 | 红外材料 |
| Sb16Te3晶体 | 25平方毫米 | 半导体 |
| SiTe2晶体 | 10平方毫米 | 拓扑材料 |
| SnBi2Te4晶体 | 50平方毫米 | 红外材料 |
| SnBi4Te7晶体 | 50平方毫米 | 半导体 |
| SnPS3晶体 | 10平方毫米 | 拓扑材料 |
| SnPSe3晶体 | 25平方毫米 | 红外材料 |
| TaCo2Te2晶体 | 50平方毫米 | 拓扑材料 |
温馨提示：西安齐岳生物供应产品仅用于科研，不能用于人体
yyp2021.1.19
