砷化镓（GaAs）晶体材料

掺杂：Si
导电类型：导电类型
生长方法：VGF(垂直梯度凝固法)HB(垂直布里奇曼法)
晶向：(100)0°±0.5°，(100)2°±0.5°offtoward，(100)15°±0.5°offtoward

尺寸：25×25×0.35mm、10×10×0.35mm、10×5×0.35mm、5×5×0.35mm，可按照客户需求，定制方向和尺寸的衬底
表面粗糙度：Surfaceroughness(Ra):=5A，可提供原子粒显微镜（AFM）检测报告

抛光：单面或双面

[单晶纯度]: 99.99%

[规格]：注：可按客户需求定制相应的方向和尺寸。

[传导类型]：N型；半绝缘型

[抛向]：单抛或双抛

[可用表面积]： 90%

[颜色及外观]：根据退火状况由无色到浅棕色，无孪晶及可见畴

[质保期]：1年

[存储]：4℃冷藏、密封、避光

[供应商]：西安齐岳生物科技有限公司

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