SOI 晶体材料

描述：SOI是将一薄层硅置于绝缘衬底上。基于SOI结构上的器件将在本质上可以减小结电容和漏电流，开关速度，降低功耗。

外形尺寸	4英寸；6英寸；8英寸
工艺	Smart cut; Bonding; SIMOX
类型	N/P
电阻率	可选
顶层单晶厚度	0.22～50μm
埋氧层	0.4～4μm
基底层厚度	100～500μm
TTV	3μm
Particle	10@0.3μm

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yyp2021.1.19