氮化铝(AlN)陶瓷基片

描述： 氮化铝具有优良的导热性（为氧化铝陶瓷的 5-10倍），较低的介电常数和介质损耗，无，，耐化学腐蚀，且与硅的热膨胀系数相近，应用于通讯器件、 高亮度LED、电力电子器件等行业，

（AlN）陶瓷基片是新一代高性能陶瓷基片，具有很高的热导率（理论值为319W/m.K，商品化的AlN基片热导率大于140W/m.k）、较低的介电常数（8.8）和介电损耗（～4×104）、以及和硅相配比的热膨胀系数（4.4×10－4/℃）等优点，化学组成 AI 65.81%，N 34.19%，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，单晶无色透明，常压下的升华分解温度为2450℃。

氮化铝陶瓷基片，热导率高，电性能好、热膨胀系数与Si片接近,强度高，，耐化学腐蚀，电阻率高，介电损耗小，无性，是取代BeO陶瓷的理想材料，是理想的大规模集成电路散热基板和封装材

产品特点：高导热性，热膨胀系数跟Si接近，优良的绝缘性能，较低介电常数和介质损耗

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yyp2021.1.19