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磷化铟（InP）单晶基片
描述： 磷化铟（InP）单晶基片材料作为重要的化合物半导体材料之一,是生产光通讯中InP基激光二极管（LD），发光二极管（LED）和光探测器等的关键材料，这些器件实现了光纤通信中信息的发射、传播、放大、接受等功能。InP也适用于高频器件，如高电子迁移率晶体管（HEMT）和异质结双极晶体管（HBT）等方面由于其本身具有的特性,使其在光纤通信、微波、毫米波、抗辐射太阳能电池、异质结晶体管等领域有的应用
晶体：InP
结构：立方,a=5.869 A
晶向：
熔点：1600oC
密度：4.79g/cm3
禁带宽度：1.344
单晶 |
掺杂 |
导电 类型 |
载流子浓度 cm-3 |
迁移率(cm2/V.s) |
位错密度(cm-2) |
标准基片 |
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InP |
本征 |
N |
(0.4-2)*1016 |
(3.5-4)*103 |
5*104 |
Φ2×0.35mm Φ3×0.35mm |
|
InP |
S |
N |
(0.8-3)*1018 (4-6)*1018 |
(2.0-2.4*103 (1.3-1.6*103 |
3*104 2*103 |
Φ2×0.35mm Φ3×0.35mm |
|
InP |
Zn |
P |
(0.6-2)*1018 |
70-90 |
2*104 |
Φ2×0.35mm Φ3×0.35mm |
|
InP |
Fe |
N |
107-108 |
32000 |
3*104 |
Φ2×0.35mm Φ3×0.35mm |
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尺寸（mm） |
Dia50.8x0.35mm,10×10×0.35mm、10×5×0.35mm可按照客户需求，定制方向和尺寸的衬底 |
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表面粗糙度 |
Surface roughness(Ra):= |
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抛光 |
单面或双面 |
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购买须知：
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产品因分子量不同，产品性状和颜色会有差别。
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yyp2021.1.19
