西安齐岳生物科技有限公司可以提供以下二维晶体材料：HfTe2 碲化铪晶体、HfSe2 硒化铪晶体、HfS2 硫化铪晶体、GeSe 硒化锗晶体、GaTe晶体、GaSe 硒化镓晶体、Fe3GeTe2晶体、CuS 晶体、CdI2晶体10平方毫米、BiTe晶体10平方毫米、BiSe 晶体、硫化铋 Bi2S3 晶体、Bi2O2Te 晶体、AgCrSe2晶体、hBN 六方氮化硼晶体；我们提供的产品仅仅用于科研，不能用于，也提供二维晶体粉末材料.

ZrSiS作为一种理论和实验证实的狄拉克半金属，在低温下表现出两个费米腔的费米液体行为。当外加磁场时，它支持Weyl费米子。在外界下，它可能演化为一种拓扑绝缘体。ZrSiS以四方相（空间群P4/nmm）结晶，晶格参数a=b=3.545??????。ZrSiS的晶体结构可以描述为五层S-Zr-Si-Zr-S的典型层状化合物。每一级包含2-3个毫米大小（2-3毫米）的晶体，这些晶体在其基面上完全定向，以便进行简单的剥落过程、STM/ARPES表征和电子测量。

ZrSiS晶体的材料性质：Dirac半金属、Weyl费米子和拓扑绝缘体

生长方法重要通量区还是CVT生长方法？卤化物的污染和层状晶体中存在的点缺陷是其弱CDW响应、高电阻率和环境不稳定性的原因。熔剂区是一种用于合成高质量vdW晶体的无卤慢生长。该方法与其它化学气相传输（CVT）的区别在于：CVT是一种（约2周）的生长方法，但结晶质量较差，缺陷浓度达1E11-1E12cm-2范围。相比之下，熔剂法生长时间较长（约3个月），但可确保缓慢结晶以获得的原子结构，以及无杂质晶体生长，缺陷浓度1E9-1e10cm-2。

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