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中文名称:三氟化氮
英文名称:Nitrogen trifluoride
中文别名:氟化氮;
英文别名:232-007-1; trifluoroamine
CAS号:7783-54-2
分子式:NF3
分子量:71.0019

物理性质：
1.性状：无色、带霉味的气体。
2.熔点（oC）：-208.5
3.沸点（oC）：-129
4.相对密度（水=1）：1.89（沸点，液体）
5.相对蒸气密度（空气=1）：2.45
6.临界温度（oC）：-39.3
7.临界压力（MPa）：4.53
8.溶解性：不溶于水。

VaporPhaseImpurities

气相杂质

Contaminants 杂质		Specifications(ppmv) 规格
Ar O2	Argon Oxygen氩气氧气	1.0
N2	Nitrogen氮气	1.0
CF4	Halocarbon-14四氟化碳	10
CO2	CarbonDioxide二氧化碳	1.0
N2O	NitrousOxide氧化亚氮	1.0
SF6	SulfurHexafluoride六氟化硫	1.0
CO	CarbonMonoxide一氧化碳	1.0
HF	HydrogenFluride	1.0
H2O	Moisture水	1.0

气体说明

三氟化氮（nitrogen trifluoride）化学式NF3，在常温下是一种无色、无臭、性质稳定的气体，是一种强氧化剂。三氟化氮在微电子工业中作为一种优良的等离子蚀刻气体，在离子蚀刻时裂解为活性氟离子，这些氟离子对硅和钨化合物，高纯三氟化氮具有优异的蚀刻速率和选择性（对氧化硅和硅），它在蚀刻时，在蚀刻物表面不留任何残留物，是非常良好的清洗剂，同时在芯片制造、高能激光器方面得到了大量的运用。

用途
三氟化氮主要用途是用作氟化氢－氟化气高能化学激光器的氟源，在h2-O2 与F2之间反应能的有效部分（约25%）可以以激光辐射释放出，所 HF-OF激光器是化学激光器中zui有希望的激光器。三氟化氮是微电子工业中一种优良的等离子蚀刻气体，对硅和氮化硅蚀刻，采用三氟化氮比四氟化碳和四氟化碳与氧气的混合气体有更高的蚀刻速率和选择性，而且对表面无污染，尤其是在厚度小于1.5um的集成电路材料的蚀刻中，三氟化氮具有非常优异的蚀刻速率和选择性，在被蚀刻物表面不留任何残留物，同时也是非常良好的清洗剂。随着纳米技术的发展和电子工业大规模的发展技术，它的需求量将日益增加。

StandardPackageInformation

包装规格

CylinderType气瓶规格	47?,Bundle,Y-cylinder,20ftISO-Container,40ftISO-Container
FillWeight充装量(kg)	20,320,200,4200,8000