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EN-1230A型分立器件动态参数测试系统是针对于半导体器件进行非破坏性瞬态测试。用于可用于Si DIODE、Si MOSFET、Si IGBT和SiC DIODE、SiC MOSFET、SiC IGBT的动态参数测试。系统的测试原理符合相应的国家标准、军标、系统为独立式单元，封闭式结构，具有升级扩展潜能。选件丰富，通过选件的灵活搭配组合实现相应的测试功能，PC为系统主控计算机，测试结果可输出为EXCEL及文本格式。
EN-1230A 分立器件动态参数测试系统
参数条件：
基本参数/Basic parameters |
功率源/Power source |
| 阻性/感性开关特性单元 Resistance/Inductance Switching performance unit |
脉宽/Pulse width：50μs~2000μs、0.1μs步径/Steps 时间分辨率：1ns 栅极驱动/Gate drive：±30V，分辨率0.1V 电阻/Resistance：定制/Commission 漏极电压/Drain voltage：5V~1500V，分辨率1V 电流/current：1.0~300A，分辨率/Resolution:1.0A 电感/Inductance：0.01mH~160mH，分辨率10μH，程控式连续可调 测试参数：开启延迟时间（td(on))、关断延迟时间（td(off))、上升时间（tr)、下降时间（tf) |
栅极电荷单元 Gate charge unit |
栅极驱动电流/Gate drive current：0~200mA，分辨率1.0mA 栅极电压/Gate voltage：±30V，分辨率±0.1V 电流/current：1.0~300A，分辨率/Resolution:1.0A 漏级电压/Drain voltage：5V~1500V，分辨率1V 栅极等效电阻范围/Gate equivalent resistance：0.1~50Ω，可调/Adjustable 测试参数：栅电荷（Qg)、栅源电荷（Qgs)、栅漏电荷（Qgd)、平台电压（Vgp) |
| 反向恢复特性单元 Reverse recovery charge test unit |
正向电流（IF）：≤300A，分辨率0.1A 反向恢复时间（Trr）：10ns~2.0μs，分辨率1ns 反向恢复电流（Irm）：≤300A 反向恢复电荷（Qrr）：1nC~100μC，分辨率1nC 反向电压（Vr）：5V~1500V，step1V 电感/Inductance：0.01mH~160mH，分辨率10μH,程控式连续可调 |
短路特性 Short circuit performance |
最大电流/Max current：1000A 栅极驱动/Gate drive：±30V，分辨率 0.1V 脉冲时间/Pulse width：5us~100us 漏极电压/Drain voltage：5V~1500V，Step1V 测试参数/Test parameters：短路电流Isc、短路耐量Esc、短路时间Tsc |
雪崩测试单元 Avalanche test unit |
雪崩耐量/EAS：100J 雪崩击穿电压/Avalanche break down voltage：2500V 雪崩电流/IAS：1.0~400A；分辨率 1.0A 雪崩感性负载范围/Avalanche inductive load range：0.01mH～160mH；分辨率10μH； |
结电容/电阻测试单元 Junction capacitor /resistance test unit |
电流/Current：1.0~300A，分辨率/Resolution:1.0A 电压/Voltage：5V~1500V，分辨率1V 测试扫频范围/Test sweep range：0.1MHz～5MHz 输入电容Cies、输出电容Coe、反向转移电容Cres |
反偏安全工作区单元 Anti-bias SOA unit |
2倍额定电流下，测试关断时电压电流 To test voltage and current of off-state under 2x rated current |
