西安易恩电气科技有限公司
交流阻断（或反偏）耐久性试验是在一定温度下，对半导体器件施加阻断（或反偏）电压，按照规定时间，从而对器件进行质量检验和耐久性评估的一种主要试验方法。一般情况下，此项试验是对器件在结温（TM℃和规定的交流阻断电压或反向偏置电压的两应力组合下，进行规定时间的试验，并根据抽样理论和失效判定依据，确认是否通过， 同时获取相关试验数据。该系统符合MIL-STD-750D METHOD-1038.3、GJB128、JEDEC标准。
ENX2020 IGBT/晶闸管老化测试系统
系统组成：
| 漏电流保护回路 | Leakage current protection loop |
| 试验电压保护回路 | Test voltage protection loop |
| 高压回路 | High voltage circuit |
| 试品漏电流 | Sample leakage current |
| 试验电压 | Test voltage |
| 温度控制单元 | Temperature control unit |
技术指标：
| 晶闸管高温阻断/Thyristor high temperature blocking | IGBT高温反偏测试/IGBT high temperature reverse bias test | |
| 试验电压 Test voltage |
VDRM.VRRM/VRRM 300V- 4000V 连续可调， 50HZ工频 |
试验电压/Test voltage： 50-5000V ±3%±10V 器件漏电流测试范围/Device leakage current test range： 0.01mA-2mA 0.01mA-1mA±3%±0.01mA 1mA-2mA±3%±0.1mA 测试时间/Test time：计算机设定/Computer setting 测试方法/Test method：器件在特定温度下存储一定时间后，在设定电压下对每只器件同时持续加反压进行测试，每隔1-2秒刷新一遍输出的测试结果，监控各器件反压下漏电流参数，并保存测试数据。 |
| 试验电流/Test current | IDRM.IRRM/IRRM 1.0mA-200.0mA | |
| 试验温度 Test temperature |
温度范围：室温-180℃ 125℃±3℃；温度波动度±0.5℃ |
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| 试验工位/Test station | 10工位 | |
| 试验容量/Test capacity | 80×16=1280位 | |
| 加电方式 Charging method |
器件试验参数从器件库中导入，ATTM自动加电试验方式，可单通道操作；老化电源可根据设定试验电压和上电时间程控步进加载 |
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