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ENJ2005-C是一款很具有代表性的新型半导体晶体管图示系统，系统IV曲线自动生成，也可根据实际需求设置功能测试，直接读取数显结果。系统生成的曲线都使用ATE系统逐点建立，保证了数据的准确可靠。提供在线故障判断，遇到器件接触不良时系统自动停止测试。通过USB或者RS232与电脑连接，以及人机界面操作，即可完成测试，并实现结果以Excel和Date的格式保存。
系统支持 Si 器件和 SiC 器件的静态参数测试。
ENJ2005-C 功率器件图示系统
测试参数：
漏电参数：IR、 ICBO、 LCEO/S/X、IDSS/X、 IDOFF、 IDRM、 IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、 IR(OPTO)
击穿参数：BVCEO、BVCES(300μS Pulse above 10mA)BVDSS、 VD、BVCBO、 VDRM、 VRRM、 VBB、BVR 、VD+、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、BVGSS、 BVGKO
增益参数：hFE、CTR、gFS
导通参数：VCESAT、VBESAT、VBEON、 VF、VT、VT+、VT-、 VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VTM、VGETH、VSD、IDON、VSAT、IDON、VO(Regulator)、Notch = IGT1、IGT4、ICON、VGEON、、IIN(Regulator)
关断参数：VGSOFF
触发参数：IGT、VGT
保持参数：IH、IH+、IH-
锁定参数：IL、IL+、IL-
混合参数：rDSON、gFS、Input Regulation、Output Regulation
间接参数：IL
配置规格：
配置 |
规格/环境 | ||
主极电压 |
1mV-2000V | 尺 寸 | 450×570×280（mm） |
电压分辨率 |
1mV | 质 量 | 35kg |
主极电流 |
0.1nA-100A | 工作电压 | 200V-240V |
扩展电流 |
/ | 电源频率 | 47Hz-63Hz |
电流分辨率 |
0.1nA | 工作温度 | 25℃-40℃ |
测试精度 |
0.2%+2LSB | 通信接口 | RS232 USB |
测试速度 |
0.5mS/参数 | 系统功耗 | <150w |
测试范围：
01 |
二极管 / DIODE |
02 |
晶体管 / NPN型/PNP型 |
03 |
J型场效应管 / J-FET |
04 |
MOS场效应管 / MOS-FET |
05 |
双向可控硅 / TRIAC |
06 |
可控硅 / SCR |
07 |
绝缘栅双极大功率晶体管 / IGBT |
08 |
硅触发可控硅 / STS |
09 |
达林顿阵列 / DARLINTON |
10 |
光电耦合 / OPTO-COUPLER |
11 |
继电器 / RELAY |
12 |
稳压、齐纳二极管 / ZENER |
13 |
三端稳压器 / REGULATOR |
14 |
光电开关 / OPTO-SWITCH |
......其它器件共19大类27分类 |
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