硅化钛，分子量:116.1333，CAS号：12039-83-7，MDL号：MFCD01310208

EINECS号：234-904-3。

硅化钛性能：在高温耐氧化性优良,用作耐热材料,高温发热体等。

硅化钛被广泛应用于金属氧化物半导体（MOS），金属氧化物半导体场效

应晶体管（MOSFET）和动态随机存储器（DRAM）的门、源/漏极、互联和

欧姆接触的制造当中，其应用举例如下：

1）制备一种硅化钛阻挡层，采用所述硅化钛阻挡层的制作方法的器件

包括由隔离区隔开的non-silicide区域和silicide区域，器件上表面覆

盖有一层牺牲氧化层。

2）制备一种原位合成硅化钛(Ti5Si3)颗粒增强铝碳化钛(Ti3AlC2)基复合材料。

本发明可以在较低的温度和较短的时间内制备出具有高纯度、高强度的

铝碳化钛/硅化钛复合材料。

3）制备复合功能硅化钛镀膜玻璃。在普通浮法玻璃基板上沉积一层薄膜或

在它们之间再沉积一层硅薄膜。通过制备得到硅化钛和硅的复合薄膜或在

薄膜中掺入少量具有活性的碳或氮得到硅化钛复合碳化硅或碳化钛或者

硅化钛复合氮化硅或氮化钛的复合薄膜，可使该镀膜玻璃的机械强度和

耐化学腐蚀能力得到提高。本发明是一种结合调光隔热和低辐射玻璃功

能于一身的一种新型的镀膜玻璃。

4）制备一种半导体元件，包括一硅衬底，硅衬底上形成有栅极、源极和漏极，

栅极和硅衬底之间形成有一层绝缘层，栅极由位于绝缘层上的多晶硅层和位

于多晶硅层上的硅化钛层组成，硅化钛层上形成有保护层，保护层、硅化钛

层、多晶硅层和绝缘层的周围环绕有三层结构层，由里到外依次为氮化硅

间隙壁层、亲层和氧化硅间隙壁层，源极和漏极上形成有硅化钛层，硅衬

底上形成有内层介电层，内层介电层中形成有接触窗开口。本实用新型

通过采用上述技术方案，可使得栅极和接触窗口内的导线可以完全绝缘，

不会发生短路现象。