厂家：k-Space Associates, Inc.

型号：kSA BandiT

 

 

全球先进半导体生长温度原位监测系统，可装载于MBE、MOCVD、溅射、蒸发系统和热处理、退火等设备，拥有丰富的材料数据库，有效集成Band-Edge Thermometry（BE）半导体材料带边吸收技术、Blackbody Emission Fitting（BB）黑体辐射光谱曲线拟合技术、Broad Band Pyrometry（Emissivity-Corrected Pyrometry）可加装红外辐射系数修正功能的宽带高温计等多项k-Space专利技术，帮助您准确监测半导体材料生长过程中的温度变化！

 

技术介绍：kSA BandiT系统作为一种非接触式、实时光学半导体生长温度原位监测系统。利用半导体材料透射或反射系数光谱以及辐射光谱监测半导体基片或薄膜的生长温度。

1. Band-Edge Thermometry 通过采集半导体材料透射或反射系数光谱，利用半导体材料带隙和温度的严格相关关系，实时快速测试半导体材料生长温度。

 

2. Blackbody Emission Fitting 通过采集半导体材料自体辐射光谱，拟合黑体辐射普朗克曲线，该功能能够有效避免传统测温计遇到的被测材料发射率变化所造成的温度测试曲线震荡的问题。

 

3. Broad Band Pyrometry（Emissivity-Corrected Pyrometry），相对传统高温计（波长范围945nm-955nm），可设定高达50nm宽度的波长范围，并且可以根据实际使用情况自由选择中心波长。可设定多个参数修正测试结果，加装发射系数修正功能后可事实监测样品生长过程中辐射率变化情况，从而避免样品发射率变化造成的温度曲线震荡问题。

主要用户：全球知名高等学府（如：Harvard University 2套，Stanford University，Johns Hopkins University，Brown University 2套，Karlsruhe Research Center,Max Planck Institute，西安交通大学等）、中国计量科学研究院、中科院上海微系统所、中科院上海光机所、半导体制和微电子造商（如IBM.，Seagate Research Center,Phillips Semiconductor,NEC，Nissan ARC,Nichia Glass Corporation）等所采用；

技术指标：

1. 分光计波长范围：400-600nm/450-950nm/870-1670nm（可选），波长分辨率0.1nm；                                          

2. 温度测试范围：

2.1 Band-Edge Thermometry（BE）半导体材料带边吸收技术；

GaAs, InP：RT -900°C；Silicon：RT -650°C；

2.2 Blackbody Emission Fitting（BB）黑体辐射光谱曲线拟合技术；

适用多种材料温度测试，特别是GaSb、InSb、Ge等窄带隙半导体材料和金属、陶瓷等；

350°C-更高，可通过升级制冷型红外光栅将最低测试温度降低到200°C；

    3. 温度测试精度： /-2°C；

4. 温度测试稳定性： /-0.2°C；       

5. 温度测试分辨率：  /-0.1°C；

6. 温度测试扫描速率：30points/sec;

7. 薄膜厚度测试精度：优于1%或1nm；

8. 薄膜表面均匀度测试精度：0.1%表面形貌变化；

9. 便捷的安装方式：单窗口，双窗口安装模式；自由选择安装角度；测试用光源被入射/正面入射模式可选；

10. 基于BandiT温度监测系统庞大的材料数据库，针对不同薄膜的种类、厚度、掺杂浓度，自动修正温度测试结果；