DK5V150R25M 是一款简单高效的两个管脚的同步整流芯片，无需任何外围，可以大幅降低传统 肖特基二极管的导通损耗，提高整机效率。 1. 启动 芯片内置储能电容和自供电线路，可以实现芯片和 NMOS 管驱动需求，无需外接电源。当 K 极 电压高于 A 极时，通过自供电线路，给内置 VCC 电容充电，VCC 电压逐渐上升。在 VCC 电压低于启 动电压 VCC_ON 时，内置 NMOS 管关闭，当 VCC 电压大于 VCC_ON 时，芯片内部控制电路开始工作， 启动完成。当 VCC 电压降低到欠压保护阈值 VCC_OFF 以下时，芯片重启。

 2. NMOS 控制 当检测到 A、K 端正向导通电压大于开通电压 VON 时，则打开 NMOS 管；芯片实时检测 K 点电 压变化，依据 K 点电压变化，判断系统工作模式。在 CCM 模式时，通过智能算法算出当前周期 NMOS 管开通时间 TON，当 NMOS 管开通时间达到 TON，关闭 NMOS 管。在非 CCM 模式时，当检测到流 过功率 MOS 管的电流逐渐减小到 0 时，则关闭功率 MOS 管。 3. RC 吸收电路 在启动、输出短路、输入电压过高，CCM 模式等容易在二极管体产生尖峰电压，为防止内置 NMOS 管过压击穿，可以在 A 和 K 之间接入 RC 吸收电路，以减小 K 点的尖峰电压。 4. NMOS 导通内阻 由于 NMOS 管的本身存在的特性。在工作过程中，随着温度升高，内阻值会增大，效率会降低。 可适当的增加散热面积，降低 IC 的工作温度。 5. 注意事项 ? 应用中需要测量同步芯片的耐压，确保同步整流芯片工作最高电压低于同步芯片 NMOS 源 漏耐压； ? 应用中需要测量同步芯片的温度，评估产品工作环境最高温度下是否超过工作结温。

DK5V150R25M