DK5V45R10 是一款简单高效率的同步整流芯片，只有 A，K 两个引脚，分别对 应肖特基二极管的 A，K 引脚。芯片内部集成了 45V 功率 NMOS 管，可以大幅 降低二极管导通损耗，提高整机效率，取代或替换目前市场上等规的肖特基 整流二极管。 产品特点： l 支持 DCM 和 QR 模式反激系统。 l 内置 10 mΩ 45V 功率 NMOS 管。 l 特有的自供电技术，无需外部供电电源。 l 自检测开通关断，无需外部同步信号。 l 可直接替换肖特基管,对 EMC/I 有适当改善。

DK5V45R10 内置储能电容和自供电线路，可以实现芯片和功率 MOS 管驱动需求，无需外 接电源。 启动 当 K 极电压高于 A 极时，通过自供电线路，给 VCC 供电，VCC 电压逐渐上升。在 VCC 电 压低于启动电压 VCC_on 时，内置功率 MOS 管关闭，当 VCC 电压大于 VCC_on 时，结束启动状 态。当 VCC 电压降低到复位电压 VCC_uvlo 以下时，芯片重新进入启动状态。 功率 MOS 控制 当检测到 A、K 端正向导通电压大于开通电压 Von 时，则打开功率 MOS 管；当检测到流 过功率 MOS 管的电流逐渐减小到 0 时，即 A、K 端正向导通电压为零时，则关闭功率 MOS 管。 RC 吸收电路 在启动、输出短路、输入电压过高,CCM 模式等容易在二极管体产生尖峰电压，为防止 内置功率 MOS 管过压击穿，可以在 A 和 K 之间接入 RC 吸收电路，以减小 N 点的尖峰电压。 导通内阻： 在工作过程中，随着温度升高，内阻值会增大，效率会降低，适当的增加散热面积，降 低 IC 的工作温度。DK5V45R10