硅通孔技术（Through Silicon Via， TSV）技术是一项高密度封装技术，正在逐渐取代目前工艺比较成熟的引线键合技术，被认为是第四代封装技术。

TSV技术通过铜、钨、多晶硅等导电物质的填充，实现硅通孔的垂直电气互连。硅通孔技术可以通过垂直互连减小互联长度，减小信号延迟，降低电容/电感，实现芯片间的低功耗，高速通讯，增加宽带和实现器件集成的小型化。

TSV技术的优势

①缩小封装尺寸；

②高频特性出色，减小传输延时、降低噪声；

③降低芯片功耗，据称，TSV可将硅锗芯片的功耗降低大约40%；

④热膨胀可靠性高。

 

刻蚀工艺：是在半导体工艺，按照掩模图形或设计要求对半导体衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离的技术。刻蚀技术不仅是半导体器件和集成电路的基本制造工艺，而且还应用于薄膜电路、印刷电路和其他微细图形的加工。刻蚀还可分为湿法刻蚀和干法刻蚀。

 

封装技术--Package Technology，公司提供TO5/TO39/TO46等各类型TO类的大批量表面贴封，小批量的悬空封装等，同时可以提供LCC、QFN、DFN等封装形式的快封。

 

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