品名：铝钪靶材  金属钪靶

靶材应用：研究表明，掺钪的氮化铝 (AlN) 薄膜具有更高的机电耦合系数，钪的含量增加可提高 CMOS 兼容类压电材料的总体性能。在钪含量小于43%（原子比）时，随着钪含量的不断增加，性能几乎呈线性增长。这些薄膜主要由铝钪合金靶材溅射而成。

压电系数随着钪含量的增加提升，在Sc43%AT达到顶峰*

可以应用于

产品介绍：含钪成分偏析小于±0.5%、纯度＞3N、氧含量低＜50ppm、高致密性、晶粒度＜100μm、真空封装

钪含量（重量比）：8%──50%（按客户要求定制）

外形：圆形，方形（按客户要求定制）

尺寸：按客户要求定制

厚度：可按客户要求定制